半导体晶体生长
特种石墨因其在超高温下的卓越热稳定性、均匀的导热性能以及出色的耐腐蚀性，而在半导体晶体生长工艺的高温区域发挥着关键作用。无论是用于碳化硅的物理气相传输（PVT）法，还是用于单晶硅的柴可拉斯基（CZ）法，亦或是用于蓝宝石的换热器法（HEM），这些工艺均需在极端温度和强化学侵蚀性环境中进行，因此特种石墨已成为不可或缺的材料。
场景描述
用于硅晶体生长的石墨部件
用于半导体应用的硅晶体通常采用CZ法或浮区法进行工业化规模生长。其中，浮区法炉内一般不含或仅含极少的石墨部件，而CZ法则高度依赖高纯度石墨部件及石墨毡隔热材料。SGL碳素公司与全球领先的硅晶体生长企业保持着长期合作关系，能够提供适用于石墨及CFRC感应器、加热器、反射器、坩埚，以及硬质和软质隔热毡等产品的优质材料。
用于碳化硅晶体生长的石墨材料
SiC单晶的生长通常涉及某种高温下的物理气相传输机制，温度高达2400°C以上。SGL碳素提供的石墨材料，比市场上任何其他材料都更适用于这些极端环境。无论您的炉子具体参数如何，无论是需要用于生产SiC粉末的原材料，还是用于生长SiC晶体棒：SGL碳素都能为您提供合适的材料，并协助您找到最理想的解决方案。
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常见问题
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Q: 公司能提供哪些福利待遇？
A:
我们为员工提供多项福利，例如：多种保险、年假、奖金等。
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