外延生长
这一过程涉及以精确的原子结构控制叠加材料，通常采用石墨组件，确保热量均匀分布，并在高温和腐蚀性条件下有效抵抗降解。
场景描述
碳化硅外延生长
碳化硅（SiC）外延生长是在SiC衬底上沉积薄层SiC，以制备适用于电力电子和高频器件的高品质材料。这一过程通常在约1500至2000°C的高温下进行，因此所用石墨部件的精度与耐受性至关重要。SGL Carbon提供专为应对这些严苛条件而设计的特种石墨产品，包括加热器、保温罩和隔热材料。我们的解决方案旨在提升SiC外延生长的均匀性和效率，全面满足客户的具体需求。
LED外延生长
LED的生产涉及外延生长工艺，即在蓝宝石或其他基板上沉积氮化镓（GaN）及其他化合物半导体材料。这一过程需要将温度控制在1000°C至1200°C之间。SGL碳素公司提供石墨解决方案，这些方案在LED外延工艺中对热管理和精密控制至关重要。我们的产品，包括加热器、坩埚和绝缘材料，均经过优化，能够满足高品质LED制造所需的稳定性和精确控制。
硅外延
硅外延是在硅晶圆表面沉积一层单晶硅的过程，广泛应用于半导体行业，用于制造高性能集成电路。该工艺通常在约1000°C的高温下进行，因此对所用材料的纯度和精度要求极高。SGL碳素公司提供一系列专为硅外延量身定制的石墨部件，包括坩埚支架、加热器和反射器等。这些组件经过精心设计，能够确保最佳的热均匀性与工艺稳定性，助力生产出无缺陷的硅层。
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常见问题
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Q: 公司能提供哪些福利待遇？
A:
我们为员工提供多项福利，例如：多种保险、年假、奖金等。
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